同軸開關插損是測量功率損失和信號衰減。特定頻率下開關的插損可以使用在該頻率開關所引起的功率損失/電壓衰減來計算，駐波比是反射波和傳輸波的比率。之前提到，在高頻傳輸中，信號通過傳輸線傳播時具有波的形式和形狀。因此，就像聲波、光波等，當信號在不同介質之間（例如不匹配阻抗的器件）傳播會發(fā)生反射。在一個開關模塊中，這種不匹配可能是連接器和PCB跡線之間的特征阻抗，以及實際的繼電器本身，由于駐波比測量反射波的功率，它常常也用來衡量傳輸線的功率損耗。根據(jù)其自身相位，輸入信號可能會與反射波相加減。這取決于反射波相對于輸入信號是同相還是反相，同相時取到最大值，反相時取到最小值。
鐵氧體開關的原理是改變偏置磁場方向，實現(xiàn)導磁率的改變，改變了信號的傳輸常數(shù)，以達到開關目的。IN管在正反向低頻信號作用下，對微波信號有開關作用。正向偏置時對微波信號的衰減很小（0.5dB），反向偏置時對微波信號的衰減很大（25dB）。BJT和FET開關的原理與低頻三極管開關的原理相同，基極（柵極）的控制信號決定集電極（漏極）和發(fā)射極（源極）的通斷。放大器有增益，反向隔離大，特別適合于MMIC開關。MEMS微機械電路是近年發(fā)展起來的一種新型器件，也可以用作同軸開關器件。
射頻同軸連接器射頻同軸連接器的命名方法型號命名射頻同軸連接器的型號由主稱代號和結構代號兩部分組成，中間用短橫線"-"隔開。主稱代號射頻連接器的主稱代號采用國際上通用的主稱代號，具體產品的不同結構形式的命名由詳細規(guī)范作出具體規(guī)定。結構形式代號射頻連接器的結構。實際的電性能取決于電纜的性能、電纜的接觸、連接器的幾何尺寸、內導體的接觸等等。同軸線的最大頻率必須是傳輸線中最薄弱的元件的最大使用頻率，因為它取決于所有元件而不是某個元件。舉個例子，某個射頻連接器的使用頻率是10GHZ，與它相連接的電纜的使用頻率是5GHZ，此組件的最大使用頻率是5GHZ。
